close

Se connecter

Se connecter avec OpenID

5.1 La réponse linéaire au champ électrique

IntégréTéléchargement
5.1 La réponse linéaire au champ électrique
F IG . 5.2: Partie imaginaire et réelle de la fonction diélectrique du Ga2 AsSb.
30
(a)
25
E⊥ c
E//c
ε2 (ω)
20
15
10
5
300
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(b)
ε1(ω)
20
Ga2AsSb
10
0
0
1
2
3
4
5
6
Photon Energy (eV)
7
8
9
10
Notez que nous avons négligé les contributions des phonons dans la fonction diélectrique.
Sur les figures (5.4), nous donnons le calcul des composantes ordinaire et extraordinaires de l’indice
de réfraction. Les spectres font apparaître un comportement anisotrope
entre les deux composantes. Pour le
Ga2 AsSb l’indice de réfraction atteint
une valeur maximale d’environ 4.92
à 2.12 eV, et 4.58 à 2.13 eV pour n (ω)
et n⊥ (ω), respectivement. En outre,
pour le Ga2 PSb l’indice de réfraction
atteint une valeur maximale d’environ 4.78 à 2.62 eV, et 4.81 à 2.78 eV
pour n (ω) et n⊥ (ω), respectivement.
La Figure (5.6) montre la biréfringence Δn dans une région énergétique de largeur égale à 10 eV. La biF IG . 5.3: Assignements des transitions interréfringence est importante dans la rébandes prédites .
gion de la non absorbtion ; à savoir
au-dessous du gap ∼ Eg . La présence
d’une absorption rend l’utilisation du cristal non linéaire dans les OPO ou dans l’appareil du doubleur de fréquence très difficile, voire impossible5 . Cependant, une telle
5
Si on est dans le cas absorption c’est l’effet résonant linéaire qui l’emporte, tendis qu’on veut le cas hors
55
5 Étude des propriétés Optiques linéaires et non linéaires
5
5
E⊥c
E//c
E⊥ c
E//c
4
Refraction index n(ω)
Refraction index n(ω)
4
3
2
1
0
1
2
2
1
Ga2AsSb
0
3
3
4
5
6
Photon Energy (eV)
7
8
9
0
10
Ga2PSb
0
1
2
3
7
4
5
6
Photon energy (eV)
8
9
10
F IG . 5.4: Indices de réfraction du Ga2 AsSb et du Ga2 PSb .
courbe est une illustration pour montrer les aspects généraux de la différence de la
fonction diélectrique pour de différentes polarisations. On peut toutefois noter que la
forme générale des courbes pour le Ga2 AsSb et Ga2 PSb sont assez similaires. Ceci, est
due à la similitude dans leurs structures de bande.
Appellations des transitions
Ai (), Ei (⊥)
Les contributions majeurs en (eV)
SbPGa2
SbAsGa2
1,1 : A1 (E1 ) : (Γ15v → Γ2c )
2,2 : A2 (E2 ) : (Γ15v → Γ3c )
3,3 : A3 (E3 ) : (Z(V1 ) → Z(C2 ))
4,4 : A4 (E4 ) : (Z(V2 ) → Z(C2 ))
3P,3P : A3P (E3P ) : (P (V1 ) → P (C1 ))
4P,4P : A4P (E4P ) : (P (V2 ) → P (C1 ))
5,5 : A5 (E5 ) : (X(V1 ) → X(C1 ))
6,6 : A6 (E6 ) : (X(V2 ) → X(C1 ))
7,7 : A7 : (N (V1 ) → N (C1 ))
8,8 : A8 (E8 ) : (N (V2 ) → N (C1 ))
9,9 : A9 (E9 ) : (X(V3 ) → N (C1 ))
E0 : (Γ25v → Γ1c )
2.582 (2.639)
2.207 (2.05)
3.485 (3.24)
4.781 (4.783)
2.767 (2.810)
2.900 (2.900)
2.354 (2.380)
2.690 (2.005)
3.902
4.573 (4.602)
4.812 (4.980)
(3.546)
2.200 (2.180)
1.667 (1.430)
3.161 (3.225)
3.198 (3.518)
2.483 (2.273)
2.779 (2.719)
2.163 (2.185)
2.436 (2.436)
4.196
4.590 (4.560)
5.156 (5.110)
(3.986)
TAB . 5.2: Assignements des transitions inter bandes pour les composés Ga2 AsSb et
Ga2 PSb et leurs contributions dans la fonction diélectrique en eV
35
résonance pour avoir l’effet non linéaire.
56
30
(a)
ε2 (ω)
25
20
15
10
5
300
0
25
E8
A6 E6
E4
E5 A E4P
A7
E9
E
1
A9
E
0
A3P 3
A4P
E1
A3 A
4
A
E2 2A
A8
5 E
3P
1
2
(b)
20
ε1(ω)
Tradition exige : une petite analyse
des pics d’absorption et des points
critiques contribuant à la fonction diélectrique dite points de singularité
de Van Hove. Une connaissance précise de ces points est indispensable
pour de nombreuses applications. En
conséquence, la structure de la fonction diélectrique a été analysée en se
15
E2
5
0
1
2
Ga2AsSb
6
7
E3P
A4 A
3
E8
8
9
10
9
10
Ga2PSb
A3 A7
E1
A2
10
0
E 3
A4 5
E 4
A9
A4P4P E 0
3
A8
E5 A1
E9
A3P
E⊥ c
E//c
E4
5
4
5
6
Photon Energy (eV)
7
8
F IG . 5.5: Analyse des points critiques de la
fonction diélectrique 2 (ω).
Auteur
Document
Catégorie
Uncategorized
Affichages
0
Taille du fichier
75 KB
Étiquettes
1/--Pages
signaler